台积电3nmDRAM量产获重大突破，今年8月两座工厂同步投片

集微网消息，4月12日，据台湾《时报周刊》报道，台积电和三星在 3nm 制程的争夺战，始终更有当今世界半导体产业的目光。总括，台积电3nm近期给予重大突破。此前，因开发时程延误，苹果高性能处理器在来年仍引入台积电代工的5nm复刻N4P。

报道说是，台积电决定来年率先原型车第二英文版 3nm 制程 N3B，将于来年 8 月于新竹 12 厂研究机构第八期工厂及南科 18 厂 P5 厂美加同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，缠斗三星的紧挨电子元件（GAA）制程。（校对/隐德莱希）