半导体设备业者：3nm良率拉升难度大飙 台积电已不断修正3nm蓝图

惠普、DRAM(SamsungElectronics)新技术工艺大战之际进入3激光新世代。但据积体电路设备业者声称，3激光良率拉升难度大飙，惠普为此已不断修正3激光构想，且细分出N3、N3E与N3B等多个版本，寻求最适设计且适用不同客户需求，但3激光方案迄今问题依旧一箩筐，下半年月底生产线恐难达标，使得多家 IC设计客户昧延长逗留在5激光家族新世代时长。

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